硅片甩干機的硅片經(jīng)過切片、倒角、研磨、表面處理、拋光、外延等不同工序加工后,表面已經(jīng)受到嚴(yán)重的沾污,清洗的目的就是為了去除硅片表面顆粒、金屬離子以及有機物等污染。
1.硅片甩干機的濕法化學(xué)清洗
化學(xué)清洗是指利用各種化學(xué)試劑和有機溶劑與吸附在被清洗物體表面上的雜質(zhì)及油污發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或溶解作用,或伴以超聲、加熱、抽真空等物理措施,使雜質(zhì)從被清除物體的表面脫附(解吸),然后用大量高純熱、冷去離子水沖洗,從而獲得潔凈表面的過程。化學(xué)清洗又可分為濕法化學(xué)清洗和干法化學(xué)清洗,其中濕法化學(xué)清洗技術(shù)在硅片表面清洗中仍處于主導(dǎo)地位。
常用化學(xué)試劑、洗液的性質(zhì)常用化學(xué)試劑及洗液的去污能力,對于濕法化學(xué)清洗的清洗效率有決定性的影響,根據(jù)硅片甩干機清洗目的和要求選擇適當(dāng)?shù)脑噭┖拖匆菏菨穹ɑ瘜W(xué)清洗的首要步驟。
2.硅片甩干機的溶液浸泡法
溶液浸泡法就是通過將要清除的硅片放入溶液中浸泡來達(dá)到清除表面污染目的的一種方法,它是濕法化學(xué)清洗中zui簡單也是zui常用的一種方法。它主要是通過溶液與硅片表面的污染雜質(zhì)在浸泡過程中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)及溶解作用來達(dá)到清除硅片表面污染雜質(zhì)的目的。選用不同的溶液來浸泡硅片可以達(dá)到清除不同類型表面污染雜質(zhì)的目的。如采用有機溶劑浸泡來達(dá)到去除有機污染的目的,采用1號液(即SC1,包含H2O2、NH3OH化學(xué)試劑以及H2O)浸泡來達(dá)到清除有機、無機和金屬離子的目的,采用2號液(即SC2,包含HCL、H2O2化學(xué)試劑以及H2O)浸泡來達(dá)到清除AL、Fe、Na等金屬離子的目的。單純的溶液浸泡法其效率往往不盡人意,所以在采用SC1浸泡的同時往往還輔以加熱、超聲或兆聲波、搖擺等物理措施。